Luo, Peng. <br/><br/>
GaN HEMT Modeling Including Trapping Effects Based on Chalmers Model and Pulsed S-Parameter Measurements  [electronic resource] 

 - Göttingen :  Cuvillier Verlag,  (c)2019. 
 - 1 online resource (161 pages) 
 - Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik ;  v. 46 .
 - Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik. .
<br/><br/>Includes bibliographies and index. 
<br/><br/>
<br/><br/><label>ISBN: </label>3736989067 9783736989061 
<br/><br/><label>Subjects--Topical Terms: </label><br/>Field-effect transistors--Congresses.
<br/><br/><label>Index Terms--Genre/Form: </label><br/>Electronic Books.
<br/><br/><label>LC Class. No.: </label>TK7871.95